半导体芯片部件、电阻器、电容器、印刷电路或接线板、配线、键盘、触控板和芯片封装

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废旧物资再生利用，变废为本，自己回收提炼，价格公开透明。随着对这些消费和商业电子产品的需求增加，因此也需要这些相同产品对于消费者和商业用户来说变得更小和更轻便。

由于这些产品的尺寸减小，因此组成所述产品的部件必须也变得更小和/或更薄。需要尺寸减小或按比例缩小的这些部件一部分的例子有微电子芯片互连、

半导体芯片部件、电阻器、电容器、印刷电路或接线板、配线、键盘、触控板和芯片封装。当电子和半导体部件尺寸减小或按比例缩小时，

在较大部件中存在的任何缺陷将在按比例缩小的部件中被放大。因此，在较大部件中存在或可能存在的缺陷应被识别并改正，如果可能的话，

在部件被按比例缩小用于较小的电子产品前。为了识别和改正电子、半导体和通讯部件中的缺陷，应分解并分析这些部件、

所用的材料和制造这些部件的生产工艺。电子、半导体和通讯/数据交换部件在一些情况下由材料层组成，其中材料如金属、金属合金、陶瓷、

无机材料、聚合物或有机金属材料。材料层经常是薄的(厚度大约小于几十埃)。为了提高材料层的质量，应评价形成层的方法如金属或其它化合物的沉积，

如果可能的话并改进。增长的微处理器速度要求促进了从铝到铜基互连的转变，即减小电路的电阻率。铜(Cu)互连的一个障碍是Cu到衬底内的扩散。

传统上，在微电子电路制造中，TaN/Ta或TiN/Ti双层阻挡膜已用于铜(Cu)扩散阻挡层。这些阻挡层设计的一个缺点是不能直接在Ta或Ti上电镀Cu。

因此，通过物理气相沉积(PVD)将Cu-晶种膜放在阻挡膜上以有利于铜电-化学镀(ECP)。但是，由于互连的特征尺寸变得更小，

阻挡层/Cu-晶种层的复合厚度正相对于通孔/沟槽尺寸变得太厚。最近，钌(Ru)作为可能的阻挡层材料显现出来，

因为可在没有PVDCu-晶种层的情况下在Ru上直接镀铜。尽管Ru表现出优异的阻挡强度，但发现它到衬底层(Si和Si02)的粘合性差得难以接受。

例如，钌具有43Kcal/mol的Ru-O键合强度，而Ru-C为152Kcal/mol;Ti-0为168Kcal/mol,Ta画O为198Kcal/mol。粘合性是微电子互连中的最重要因素之一，

因为粘合差的界面常常增加了器件故障的机率，尤其是由于应力和电迁移引起的那些故障。

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